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RK7002BT116  与  2N7002K-T1-GE3  区别

型号 RK7002BT116 2N7002K-T1-GE3
唯样编号 A36-RK7002BT116 A3t-2N7002K-T1-GE3-3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 200mW(Ta) -
宽度 - 1.60mm
Rds On(Max)@Id,Vgs -
Qg-栅极电荷 - 0.4nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 15pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 1V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
封装/外壳 SST3 SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 300mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.4 欧姆 @ 250mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
高度 - 1.45mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 0.35W
典型关闭延迟时间 - 35ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA -
系列 - 2N7002K
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 30pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 250mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 25ns
库存与单价
库存 6,802 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
140+ :  ¥0.3692
200+ :  ¥0.2745
1,500+ :  ¥0.2385
3,000+ :  ¥0.2115
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RK7002BT116 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 SST3

¥0.3692 

阶梯数 价格
140: ¥0.3692
200: ¥0.2745
1,500: ¥0.2385
3,000: ¥0.2115
6,802 当前型号
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 3,000 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 200 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 0 对比

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