RK7002BT116 与 2N7002K-T1-GE3 区别
| 型号 | RK7002BT116 | 2N7002K-T1-GE3 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-RK7002BT116 | A3t-2N7002K-T1-GE3-3 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散(最大值) | 200mW(Ta) | - | ||||||
| 宽度 | - | 1.60mm | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2Ω | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 0.4nC | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 15pF @ 25V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1V | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 100mS | ||||||
| 封装/外壳 | SST3 | SOT-23 | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 300mA | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 2.4 欧姆 @ 250mA,10V | - | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.5V,10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||
| 高度 | - | 1.45mm | ||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 0.35W | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns | ||||||
| FET类型 | N 通道 | - | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA | - | ||||||
| 系列 | - | 2N7002K | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 30pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.6nC @ 4.5V | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 250mA(Ta) | - | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 6,684 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RK7002BT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 SST3 |
￥0.5042
|
6,684 | 当前型号 | ||||||||
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
|
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||
|
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
