RGS80TSX2DHRC11 与 RGS80TSX2HRC11 区别
| 型号 | RGS80TSX2DHRC11 | RGS80TSX2HRC11 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-RGS80TSX2DHRC11 | A3x-RGS80TSX2HRC11 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 120A | 120A | ||||||
| 栅极电荷 | 104nC | 104nC | ||||||
| 功率-最大值 | 555W | 555W | ||||||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||||||
| 输入类型 | 标准 | 标准 | ||||||
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | 沟槽型场截止 | ||||||
| 25°C时Td(开/关)值 | 49ns/199ns | 49ns/199ns | ||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A | 80A | ||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,40A | 2.1V @ 15V,40A | ||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V | 1200V | ||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) | ||||||
| 开关能量 | 3mJ(开),3.1mJ(关) | 3mJ(开),3.1mJ(关) | ||||||
| 测试条件 | 600V,40A,10 欧姆,15V | 600V,40A,10 欧姆,15V | ||||||
| 反向恢复时间(trr) | 198ns | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 472 | 300 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) 车规 |
￥18.139
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472 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥114.7205
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥100.4907
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥100.4907
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥114.7205
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372 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2HRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) 车规 |
暂无价格 | 300 | 对比 |
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