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RF4C100BCTCR  与  PMEG4010CEAX  区别

型号 RF4C100BCTCR PMEG4010CEAX
唯样编号 A36-RF4C100BCTCR A36-PMEG4010CEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET SBD肖特基二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 40V
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@10A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W -
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 DFN2020-8 SOD-323
反向漏电流Ir - 8uA
连续漏极电流Id 10A(Ta) -
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.84V
尺寸 - 1.7 x 1.25 x 0.95
正向电流If - 1A
栅极电荷Qg 23.5nC@4.5V -
正向浪涌电流Ifsm - 8A
二极管电容 - 24pF@VR=1V
库存与单价
库存 15,065 315
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.2276
100+ :  ¥0.9445
750+ :  ¥0.7861
1,500+ :  ¥0.7148
3,000+ :  ¥0.6633
90+ :  ¥0.5632
200+ :  ¥0.429
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4C100BCTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55℃~150℃ 20V

¥1.2276 

阶梯数 价格
50: ¥1.2276
100: ¥0.9445
750: ¥0.7861
1,500: ¥0.7148
3,000: ¥0.6633
15,065 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃ 车规

¥0.5632 

阶梯数 价格
90: ¥0.5632
200: ¥0.429
315 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃ 车规

¥0.5358 

阶梯数 价格
1: ¥0.5358
100: ¥0.4059
1,000: ¥0.3171
1,500: ¥0.26
3,000: ¥0.226
2 对比
SSM6J511NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 6-UDFNB(2x2) -55°C ~ 150°C(TJ) 12 V 14A(Ta)

暂无价格 0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.5945 

阶梯数 价格
1,190: ¥1.5945
2,500: ¥1.307
5,000: ¥1.1365
0 对比
PMPB33XP,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB33XP_SOT1220 P-Channel 1.7W 150℃ 12V,-0.68V -20V -7.9A

¥1.293 

阶梯数 价格
560: ¥1.293
1,000: ¥1.0102
1,500: ¥0.828
3,000: ¥0.72
9,000 对比

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