RE1E002SPTCL 与 RSE002P03TL 区别
| 型号 | RE1E002SPTCL | RSE002P03TL | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-RE1E002SPTCL | A33-RSE002P03TL-1 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | RSE002P03 Series P-Channel 30 V 1.4 Ohm 150 mW Surface Mount Mosfet - EMT-3 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | EMTF | EMT | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.25A | 0.2A | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4Ω@250mA,10V | 1.4Ω@200mA,10V | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 30pF @ 10V | 30pF @ 10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW(Ta) | 150mW(Ta) | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | 4V,10V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 25 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RE1E002SPTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 150mW(Ta) 1.4Ω@250mA,10V 150°C(TJ) EMTF P-Channel 30V 0.25A |
暂无价格 | 25 | 当前型号 | ||||||||||||
|
RSE002P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 150mW(Ta) 1.4Ω@200mA,10V 150°C(TJ) EMT P-Channel 30V 0.2A |
￥2.7502
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RSE002P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 150mW(Ta) 1.4Ω@200mA,10V 150°C(TJ) EMT P-Channel 30V 0.2A |
￥2.7502
|
2,734 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
