QS6M3TR 与 SI3552DV-T1-GE3 区别
| 型号 | QS6M3TR | SI3552DV-T1-GE3 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-QS6M3TR | A36-SI3552DV-T1-GE3 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT6(SC-95) | TSOT-23-6 | ||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.5A | 2.5A | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 230mΩ@1.5A,4.5V | 105 mOhms @ 2.5A,10V | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V/20V | 30V | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 80pF @ 10V | - | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1.15W | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.6nC @ 4.5V | - | ||||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA(最小) | ||||||||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 22,556 | 23,804 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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QS6M3TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 30V,20V 230mΩ@1.5A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) 30V/20V 1.5A TSMT6(SC-95) |
￥0.8811
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22,556 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI3552DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A N+P-Channel 105 mOhms @ 2.5A,10V 1.15W TSOT-23-6 -55°C~150°C 30V |
￥2.42
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23,804 | 对比 |
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