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PUMH14,115  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 PUMH14,115 MUN5212DW1T1G
唯样编号 A36-PUMH14,115 A36-MUN5212DW1T1G-1
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 PUMH14 Series 50 V 200 mW 100 mA NPN/NPN Resistor Equipped Transistor - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
产品特性 车规 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
VCBO 50V -
工作温度 -65℃~150℃ -
VEBO 5V -
晶体管类型 NPN/NPN -
功率耗散Pd 300mW -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 150mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
尺寸 2.1*1.25*0.95 -
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 100 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
库存与单价
库存 0 3,692
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6292
200+ :  ¥0.4056
1,500+ :  ¥0.3523
3,000+ :  ¥0.312
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PUMH14,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH14_SOT-363 300mW NPN/NPN 50V 100mA 150mV 100 车规

暂无价格 0 当前型号
UMH4NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363 150mW NPN 50V 100mA 300mV 100 250MHz

¥0.3768 

阶梯数 价格
140: ¥0.3768
200: ¥0.2808
1,500: ¥0.2444
3,000: ¥0.216
7,740 对比
DDC143TU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363 200mW PNP/PNP -50V -100mA -300mV 100 250MHz

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
200: ¥0.4056
1,500: ¥0.3523
3,000: ¥0.312
5,200 对比
DDC113TU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

300mV 100 SOT-363 200mW NPN/NPN 50V 100mA 250MHz

¥0.495 

阶梯数 价格
110: ¥0.495
200: ¥0.3195
1,500: ¥0.2773
4,970 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

null

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
200: ¥0.4056
1,500: ¥0.3523
3,000: ¥0.312
3,692 对比
DDC114TU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363 200mW PNP/PNP -50V -100mA -300mV 100 250MHz

¥0.4927 

阶梯数 价格
110: ¥0.4927
200: ¥0.3172
1,500: ¥0.2756
2,999 对比

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