PUMD6,115 与 UMH3NFHATN 区别
| 型号 | PUMD6,115 | UMH3NFHATN | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-PUMD6,115 | A32-UMH3NFHATN-1 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | PUMD6 Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN/PNP Digital Transistor - SOT-363 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||
| 特征频率fT | - | 250MHz | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | 300mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||
| VCBO | 50V | 50V | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA | ||||||||
| VEBO | 5V | 5V | ||||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | 100 | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN | ||||||||
| R1 | - | 4.7K Ohms | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2 | 3,200 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PUMD6,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 车规 NPN+PNP |
暂无价格 | 2 | 当前型号 | ||||||||||
|
UMH3NFHATN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 车规 NPN |
￥1.4251
|
3,200 | 对比 | ||||||||||
|
|
UMD6NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 3,100 | 对比 | ||||||||||
|
|
UMD6NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.2826
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
UMD6NFHATR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 车规 NPN+PNP |
￥1.4251
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
|
UMH3NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.2826
|
3,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
