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PUMD16,115  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 PUMD16,115 MUN5212DW1T1G
唯样编号 A36-PUMD16,115 A36-MUN5212DW1T1G-1
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
产品特性 车规 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
VCBO 50V -
工作温度 -65°C~150°C -
VEBO 5V -
晶体管类型 N+P-Channel -
功率耗散Pd 300mW -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 150mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
尺寸 2.1*1.25*0.95 -
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 80 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
库存与单价
库存 2,893 3,061
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥0.5109
200+ :  ¥0.3302
1,500+ :  ¥0.286
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PUMD16,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 80 车规

暂无价格 2,893 当前型号
UMD22NTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363 150mW NPN/PNP 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 80,80 250MHz,250MHz

¥0.3718 

阶梯数 价格
140: ¥0.3718
200: ¥0.276
1,500: ¥0.24
3,000: ¥0.213
29,214 对比
DCX124EUQ-13-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

车规

¥0.4233 

阶梯数 价格
120: ¥0.4233
500: ¥0.3848
2,500: ¥0.3557
5,000: ¥0.3328
10,000: ¥0.3058
20,000 对比
DCX124EUQ-13R-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

车规

¥0.4862 

阶梯数 价格
110: ¥0.4862
500: ¥0.442
2,500: ¥0.4095
5,000: ¥0.3822
9,969 对比
DCX124EU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363 200mW NPN/PNP 50V 100mA 300mV 56 250MHz

¥0.246 

阶梯数 价格
210: ¥0.246
1,500: ¥0.2148
3,000: ¥0.1896
8,293 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

¥0.5109 

阶梯数 价格
100: ¥0.5109
200: ¥0.3302
1,500: ¥0.286
3,061 对比

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