PUMD10,115 与 MUN5335DW1T1G 区别
| 型号 | PUMD10,115 | MUN5335DW1T1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-PUMD10,115 | A36-MUN5335DW1T1G |
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | 达林顿晶体管 |
| 描述 | PUMD10 Series 5/12 V 100 mA Surface Mount NPN/PNP Digital Transistor - SOT-363 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 300mW | - |
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA |
| 功率 | - | 1/4W |
| 特征频率fT | 230MHz | - |
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | - | 2.2k |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 47K Ohms |
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | - |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 250mV @ 300µA,10mA |
| FET类型 | - | NPN+PNP |
| 封装/外壳 | SOT-363 | SC-88 |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 80 @ 5mA,10V |
| VCBO | 50V | - |
| 工作温度 | -65°C~150°C | - |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V |
| VEBO | 5V | - |
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - |
| 集电极连续电流 | 100mA | - |
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA |
| 直流电流增益hFE | 100 | - |
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | - |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 4 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PUMD10,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 100mV 100 230MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
UMH10NFHATN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz 车规 NPN |
￥0.5952
|
639 | 对比 | ||||||||
|
DCX123JU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz NPN+PNP |
￥0.5109
|
135 | 对比 | ||||||||
|
|
UMD25NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 80,80 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||
|
|
UMH10NFHATN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz 车规 NPN |
￥1.1145
|
34 | 对比 | ||||||||
|
MUN5335DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 | 暂无价格 | 4 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
