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PSMN7R6-60BS,118  与  IRFZ48NSTRLPBF  区别

型号 PSMN7R6-60BS,118 IRFZ48NSTRLPBF
唯样编号 A36-PSMN7R6-60BS,118 A-IRFZ48NSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK Single N-Channel 55 V 3.8 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@32A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 149W 3.8W(Ta),130W(Tc)
输出电容 342pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 92A 64A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 2651pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1970pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 81nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7.8mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1970pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 81nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 149W 175°C 3V 60V 92A

暂无价格 0 当前型号
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
RJ1L08CGNTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150°C(TJ) 60V

¥14.8815 

阶梯数 价格
20: ¥14.8815
50: ¥9.7358
100: ¥9.0937
300: ¥8.6625
490 对比
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFZ48NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@32A,10V N-Channel 55V 64A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1010NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比

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