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PSMN7R0-60YS,115  与  IRLR8726TRLPBF  区别

型号 PSMN7R0-60YS,115 IRLR8726TRLPBF
唯样编号 A36-PSMN7R0-60YS,115 A-IRLR8726TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 60V 30V
Pd-功率耗散(Max) 117W 75W(Tc)
输出电容 366pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 DPAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 89A 86A(Tc)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
输入电容 2712pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.4mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2150pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
库存与单价
库存 87 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥6.798
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R0-60YS,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-60YS_SOT669 N-Channel 117W 175℃ 3V 60V 89A

¥6.798 

阶梯数 价格
8: ¥6.798
87 当前型号
IRLR8726TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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