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PSMN7R0-30YL,115  与  BSC080N03MSGATMA1  区别

型号 PSMN7R0-30YL,115 BSC080N03MSGATMA1
唯样编号 A36-PSMN7R0-30YL,115 A-BSC080N03MSGATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 12.2 mOhm 10 nC 51 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-4 MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),35W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 51W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2100pF @ 15V
输出电容 255pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT669 8-PowerTDFN
工作温度 175℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 76A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
输入电容 1270pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Ta),53A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7mΩ@10V,9.1mΩ@4.5V -
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R0-30YL,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-30YL_SOT669 N-Channel 51W 175℃ 1.7V 30V 76A

暂无价格 0 当前型号
BSC080N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC072N03LD G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC072N03LDGATMA1_30V 20A 6mΩ 20V 57W 2N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC090N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC090N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOL1414 AOS 功率MOSFET

14A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±12V 6.5 mΩ @ 20A,10V UltraSO-8? 2.08W(Ta),100W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSC080N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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