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PSMN7R0-100BS,118  与  IRFS4310ZTRLPBF  区别

型号 PSMN7R0-100BS,118 IRFS4310ZTRLPBF
唯样编号 A36-PSMN7R0-100BS,118 A-IRFS4310ZTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN7R0 Series 100 V 100 A 6.8 mOhm N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK-3 Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 269W 250W(Tc)
输出电容 438pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-2 D2PAK
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 127A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 6686pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.8mΩ@15A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R0-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100BS_TO-263-2 N-Channel 269W -55°C~175°C ±20V 100V 100A

暂无价格 0 当前型号
IRFS4310ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK

暂无价格 800 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥45.2386 

阶梯数 价格
4: ¥45.2386
10: ¥22.4037
30: ¥18.6187
50: ¥17.8616
100: ¥17.2963
300: ¥16.9226
500: ¥16.8459
800 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥45.2386 

阶梯数 价格
4: ¥45.2386
10: ¥22.4037
23 对比
IRFS4310ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK

暂无价格 0 对比

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