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PSMN5R0-80PS,127  与  IRF3808PBF  区别

型号 PSMN5R0-80PS,127 IRF3808PBF
唯样编号 A36-PSMN5R0-80PS,127 A-IRF3808PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ
Qg-栅极电荷 - 150nC
栅极电压Vgs 3V 20V
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 140A
配置 - Single
输入电容 6793pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 270W 330W
输出电容 913pF -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.7mΩ@10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN5R0-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R0-80PS_SOT78 N-Channel 270W 175℃ 3V 80V 100A

暂无价格 0 当前型号
IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IPP028N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP028N08N3GXKSA1_80V 100A 2.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 500 对比
AOT480L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 80V 25V 180A 333W 4.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPP100N08S207AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP100N08S2-07_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 140A 7mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 0 对比

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