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PSMN4R8-100BSEJ  与  IPB120N08S4-04  区别

型号 PSMN4R8-100BSEJ IPB120N08S4-04
唯样编号 A36-PSMN4R8-100BSEJ A-IPB120N08S4-04
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.1mΩ
漏源极电压Vds 100V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 405W -
输出电容 674pF -
栅极电压Vgs 3V 2V,4V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -
连续漏极电流Id 120A 120A
Ptot max - 179.0W
输入电容 10665pF -
QG - 95.0nC
Rds On(max)@Id,Vgs 4.8mΩ@10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.94
RthJC max - 0.84K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R8-100BSE_SOT404

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IPB120N08S4-04 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB120N08S404ATMA1_

暂无价格 0 对比

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