首页 > 商品目录 > > > > PSMN3R8-100BS,118代替型号比较

PSMN3R8-100BS,118  与  IRLS4030TRLPBF  区别

型号 PSMN3R8-100BS,118 IRLS4030TRLPBF
唯样编号 A36-PSMN3R8-100BS,118 A-IRLS4030TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.3mΩ@110A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 306W 370W(Tc)
输出电容 660pF -
栅极电压Vgs 3V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 180A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 9900pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 120A

暂无价格 0 当前型号
IPB042N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3

暂无价格 1,000 对比
IRF100S201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB

暂无价格 10 对比
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售