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PSMN2R8-80BS,118  与  IRFS3107TRLPBF  区别

型号 PSMN2R8-80BS,118 IRFS3107TRLPBF
唯样编号 A36-PSMN2R8-80BS,118 A-IRFS3107TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK N-Channel 75 V 3 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ@140A,10V
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 306W 370W(Tc)
输出电容 847pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 230A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 9961pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9370pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 240nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9370pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 240nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R8-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-80BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 80V 120A

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TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V

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±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

暂无价格 0 对比

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