PSMN2R4-30YLDX 与 SIJA58ADP-T1-GE3 区别
| 型号 | PSMN2R4-30YLDX | SIJA58ADP-T1-GE3 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-PSMN2R4-30YLDX | A3t-SIJA58ADP-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 106W | 5W(Ta),56.8W(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 40V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 2.4V @ 250uA | ||||||||
| 输出电容 | 1175pF | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-669 | PowerPAK® SO-8 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 32.3A(Ta),109A(Tc) | ||||||||
| 输入电容 | 2256pF | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 2.4mΩ@25A,10V | 2.65 mOhms @ 15A,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1,500 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R4-30YLDX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-669 N-Channel 2.4mΩ@25A,10V 106W -55°C~175°C ±20V 30V 100A |
¥3.504
|
1,500 | 当前型号 | ||||||||||
|
SIJA58ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
32.3A(Ta),109A(Tc) N-Channel 2.65 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 |