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PSMN2R4-30YLDX  与  SIJA58ADP-T1-GE3  区别

型号 PSMN2R4-30YLDX SIJA58ADP-T1-GE3
唯样编号 A36-PSMN2R4-30YLDX A3t-SIJA58ADP-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 106W 5W(Ta),56.8W(Tc)
漏源极电压Vds 30V 40V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
输出电容 1175pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-669 PowerPAK® SO-8
工作温度 -55°C~175°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 100A 32.3A(Ta),109A(Tc)
输入电容 2256pF -
Vgs(最大值) - +20V,-16V
导通电阻Rds(On) 2.4mΩ@25A,10V 2.65 mOhms @ 15A,10V
库存与单价
库存 1,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.504
100+ :  ¥2.7
750+ :  ¥2.34
1,500+ :  ¥2.232
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R4-30YLDX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT-669 N-Channel 2.4mΩ@25A,10V 106W -55°C~175°C ±20V 30V 100A

¥3.504 

阶梯数 价格
20: ¥3.504
100: ¥2.7
750: ¥2.34
1,500: ¥2.232
1,500 当前型号
SIJA58ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

32.3A(Ta),109A(Tc) N-Channel 2.65 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V

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