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PSMN034-100BS,118  与  FQB55N10TM  区别

型号 PSMN034-100BS,118 FQB55N10TM
唯样编号 A36-PSMN034-100BS,118 A36-FQB55N10TM
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK N-Channel 100 V 0.026 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.75W(Ta),155W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 86W 3.75W(Ta),155W(Tc)
输出电容 94pF -
栅极电压Vgs 3V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 32A 55A
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 1201pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 34.5mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2730pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN034-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN034-100BS_SOT404 N-Channel 86W 175°C 3V 100V 32A

暂无价格 0 当前型号
IRFS59N10DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL2910STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26mΩ@29A,10V N-Channel 100V 55A D2PAK

暂无价格 0 对比
FQB55N10TM ON Semiconductor 功率MOSFET

55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRF540ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 92W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26.5mΩ@22A,10V N-Channel 100V 36A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRFR3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 39mΩ@18A,10V N-Channel 100V 31A D-Pak

暂无价格 0 对比

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