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PSMN013-100BS,118  与  STB80NF10T4  区别

型号 PSMN013-100BS,118 STB80NF10T4
唯样编号 A36-PSMN013-100BS,118 A3-STB80NF10T4
制造商 Nexperia STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT404 TO-263-3
工作温度 175℃ -
连续漏极电流Id 68A -
漏源极电压Vds 100V -
输入电容 3195pF -
Pd-功率耗散(Max) 170W -
Rds On(max)@Id,Vgs 13.9mΩ@10V -
输出电容 221pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN013-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100BS_SOT404 N-Channel 170W 175℃ 3V 100V 68A

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
IPB123N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB123N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB123N10N3 G Infineon 功率MOSFET

IPB123N10N3GATMA1_-55°C~175°C(TJ) 100V 58A 10.7mΩ 20V 94W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFS4610TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 190W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@44A,10V N-Channel 100V 73A D2PAK

暂无价格 0 对比

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