首页 > 商品目录 > > > > PSMN013-100BS,118代替型号比较

PSMN013-100BS,118  与  IPB123N10N3GATMA1  区别

型号 PSMN013-100BS,118 IPB123N10N3GATMA1
唯样编号 A36-PSMN013-100BS,118 A-IPB123N10N3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 94W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 170W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 50V
输出电容 221pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 68A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 46uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
输入电容 3195pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12.3 毫欧 @ 46A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 58A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 13.9mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN013-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100BS_SOT404 N-Channel 170W 175℃ 3V 100V 68A

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
IPB123N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB123N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB123N10N3 G Infineon 功率MOSFET

IPB123N10N3GATMA1_-55°C~175°C(TJ) 100V 58A 10.7mΩ 20V 94W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFS4610TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 190W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@44A,10V N-Channel 100V 73A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售