PMZB600UNEYL 与 DMN2400UFB-7 区别
| 型号 | PMZB600UNEYL | DMN2400UFB-7 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-PMZB600UNEYL | A36-DMN2400UFB-7 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3 | MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 0.36W | 470mW(Ta) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||
| 输出电容 | 5.4pF | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 0.7V,8V | ±12V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT883B | DFN | ||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.6A | 0.75A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA | ||||||||
| 输入电容 | 21.3pF | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 36pF @ 16V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.5nC @ 4.5V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 850mΩ@2.5V,620mΩ@4.5V | 550mΩ@600mA,4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 10,000 | 15 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMZB600UNEYL | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT883B N-Channel 850mΩ@2.5V,620mΩ@4.5V 0.36W 150°C 0.7V,8V 20V 0.6A |
￥0.2834
|
10,000 | 当前型号 | ||||||||||
|
DMN2400UFB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 470mW(Ta) 550mΩ@600mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) DFN N-Channel 20V 0.75A |
暂无价格 | 15 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
