PMV50ENEAR 与 FDN357N 区别
| 型号 | PMV50ENEAR | FDN357N | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-PMV50ENEAR | A36-FDN357N | ||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.51W | 500mW(Ta) | ||||||||||||||
| 输出电容 | 55pF | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SuperSOT | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.9A | 1.9A | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||||||
| 输入电容 | 276pF | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 43mΩ@3.9A,10V | - | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 634 | 6,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMV50ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规 |
￥1.0384
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634 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
￥0.6357
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8,675 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5447
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8,625 | 对比 | ||||||||||||
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RQ5E030AJTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 3A(Ta) ±12V 1W(Tc) 75mΩ@3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-96 |
暂无价格 | 6,170 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.408
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6,000 | 对比 | |||||||||||||
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AO3434A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V |
￥0.627
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5,608 | 对比 |
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