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PMV37EN2R  与  IRLML0030TRPBF  区别

型号 PMV37EN2R IRLML0030TRPBF
唯样编号 A36-PMV37EN2R A36-IRLML0030TRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@5.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.51W 1.3W(Ta)
输出电容 50pF -
栅极电压Vgs 1.5V,20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23 Micro3™/SOT-23
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.6A 5.3A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 25µA
输入电容 209pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 382pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 47mΩ@4.5V,36mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 382pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 28 19,026
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
3,000+ :  ¥0.52
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV37EN2R Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV37EN2_SOT23

暂无价格 28 当前型号
DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.3238 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3238
120,000 对比
DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.4589 

阶梯数 价格
110: ¥0.4589
200: ¥0.2951
3,000: ¥0.2625
38,359 对比
IRLML0030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
19,026 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
6,593 对比
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
5,199 对比

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