PMPB13XNE,115 与 RF4E110BNTR 区别
| 型号 | PMPB13XNE,115 | RF4E110BNTR | ||||
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| 唯样编号 | A36-PMPB13XNE,115 | A36-RF4E110BNTR | ||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 1.7W | 2W | ||||
| 上升时间 | - | 12ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 24nC | ||||
| 输出电容 | 155pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 2V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 43ns | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 6S | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 11.3A | 11A | ||||
| 系列 | - | RF4E110BN | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 输入电容 | 2195pF | - | ||||
| 下降时间 | - | 11ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 16mΩ@8A,4.5V | 11.1mΩ | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 1 | 295 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMPB13XNE,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 16mΩ@8A,4.5V 1.7W -55°C~150°C ±12V 30V 11.3A |
暂无价格 | 1 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3016LFDF-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
UDFN2020-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.8085
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
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DMN3020UFDF-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
UDFN2020-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥1.68
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295 | 对比 | ||||||||||
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RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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