PMPB10ENZ 与 RF4E110GNTR 区别
| 型号 | PMPB10ENZ | RF4E110GNTR | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-PMPB10ENZ | A33-RF4E110GNTR-0 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A DFN2020MD-6 | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.8W | 2W | ||||||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 5.5ns | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 7.4nC | ||||||||||||||||||||
| 输出电容 | 155pF | - | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 21ns | ||||||||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 6S | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 14A | 11A | ||||||||||||||||||||
| 系列 | - | RF4E110GN | ||||||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||||||||
| 输入电容 | 840pF | - | ||||||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 3ns | ||||||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9ns | ||||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 12mΩ@9A,10V | 11.3mΩ@11A,10V | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,295 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMPB10ENZ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 12mΩ@9A,10V 1.8W -55°C~150°C ±20V 30V 14A |
￥1.536
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥1.1052
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.6927
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2,295 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.6367
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2,100 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 110 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.5573
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88 | 对比 |
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