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PMDPB30XN,115  与  UT6K3TCR  区别

型号 PMDPB30XN,115 UT6K3TCR
唯样编号 A36-PMDPB30XN,115 A-UT6K3TCR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.49W 2W
输出电容 87pF -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SOT1118 HUML2020L8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5.3A 5.5A
输入电容 660pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 40mΩ@3A,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4nC @ 4.5V
库存与单价
库存 19 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
460+ :  ¥3.5221
1,500+ :  ¥2.233
3,000+ :  ¥1.6145
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB30XN,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDPB30XN_SOT1118 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A

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¥2.846 

阶梯数 价格
60: ¥2.846
100: ¥2.2711
300: ¥1.8974
500: ¥1.8207
1,000: ¥1.7632
2,967 对比
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阶梯数 价格
460: ¥3.5221
1,500: ¥2.233
3,000: ¥1.6145
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