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PMDPB30XN,115  与  DMN2050LFDB-13  区别

型号 PMDPB30XN,115 DMN2050LFDB-13
唯样编号 A36-PMDPB30XN,115 A-DMN2050LFDB-13
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.49W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 45mΩ@5A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 389pF @ 10V
输出电容 87pF -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
封装/外壳 SOT1118 U-DFN2020-6(B 类)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 5.3A 3.3A
输入电容 660pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 40mΩ@3A,4.5V -
库存与单价
库存 169 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.562
100+ :  ¥1.199
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB30XN,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDPB30XN_SOT1118

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
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