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PHB47NQ10T,118  与  IRL2910SPBF  区别

型号 PHB47NQ10T,118 IRL2910SPBF
唯样编号 A36-PHB47NQ10T,118 A-IRL2910SPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 47A 55A
输入电容 2320pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3700pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 49 ns
漏源极电压Vds 100V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 166W 3.8W
晶体管配置 -
输出电容 315pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 28mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 11 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB47NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB47NQ10T_SOT404 N-Channel 166W 175℃ 3V 100V 47A

暂无价格 0 当前型号
RSJ400N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥13.3483 

阶梯数 价格
20: ¥13.3483
50: ¥8.8063
100: ¥8.2409
300: ¥7.8672
337 对比
RSJ400N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

暂无价格 250 对比
RSJ400N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥19.8043 

阶梯数 价格
1: ¥19.8043
100: ¥11.4469
1,000: ¥7.2573
100 对比
FQB55N10TM ON Semiconductor 功率MOSFET

55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRL2910SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 55A 26mΩ 3.8W

暂无价格 0 对比

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