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PHB45NQ15T,118  与  IRF3415SPBF  区别

型号 PHB45NQ15T,118 IRF3415SPBF
唯样编号 A36-PHB45NQ15T,118 A-IRF3415SPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK Single N-Channel 150 V 200 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@22A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 230W 3.8W(Ta),200W(Tc)
输出电容 290pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 45.1A 43A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 1770pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 42mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB45NQ15T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB45NQ15T_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 150V 45.1A

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AOB254L AOS  数据手册 功率MOSFET

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±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@22A,10V N-Channel 150V 43A D2PAK

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