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PHB29N08T,118  与  IRLZ24NSTRLPBF  区别

型号 PHB29N08T,118 IRLZ24NSTRLPBF
唯样编号 A36-PHB29N08T,118 A-IRLZ24NSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK Single N-Channel 55 V 3.8 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 75V 55V
Pd-功率耗散(Max) 88W 3.8W(Ta),45W(Tc)
输出电容 140pF -
栅极电压Vgs 4V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 27A 18A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 810pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB29N08T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB29N08T_SOT404 N-Channel 88W 175℃ 4V 75V 27A

暂无价格 0 当前型号
IRLZ24NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 60mΩ@11A,10V N-Channel 55V 18A D2PAK

暂无价格 0 对比

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