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PHB191NQ06LT,118  与  AUIRF3805S  区别

型号 PHB191NQ06LT,118 AUIRF3805S
唯样编号 A36-PHB191NQ06LT,118 A-AUIRF3805S
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805S, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 11.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 1.5V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 210A
输入电容 7665pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7960pF
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 93 ns
漏源极电压Vds 55V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 300W 300W
晶体管配置 -
输出电容 1045pF -
FET类型 N-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V -
典型接通延迟时间 - 150 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 290nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB191NQ06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB191NQ06LT_SOT404 N-Channel 300W 175°C 1.5V 55V 75A

暂无价格 0 当前型号
IRFS7537TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@100A,10V N-Channel 60V 173A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 800 对比
IRF3805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRF3805S Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 210A 3.3mΩ 300W 车规

暂无价格 0 对比
IRF3205SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRF3805STRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V 44A 8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比

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