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PH6325L,115  与  IRF8113  区别

型号 PH6325L,115 IRF8113
唯样编号 A36-PH6325L,115 A-IRF8113
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.6mΩ@17.2A,10V
漏源极电压Vds 25V 30V
Pd-功率耗散(Max) 62.5W 2.5W(Ta)
输出电容 517pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 SO8
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 78.7A 17.2A(Ta)
输入电容 2420pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.3mΩ@10V,9.5mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2910pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PH6325L,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PH6325L_SOT669 N-Channel 62.5W 150℃ 1.5V 25V 78.7A

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IRF8113 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IRF7805Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 8.7mΩ N-Channel 20V 12A

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