PDTC114ET,215 与 MMUN2214LT1G 区别
| 型号 | PDTC114ET,215 | MMUN2214LT1G | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-PDTC114ET,215 | A36-MMUN2214LT1G | ||||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||
| 描述 | PDTC114E Series 40 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-23 | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 250mW | - | ||||||||||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||||||||||||||||
| 功率 | - | 0.246W | ||||||||||||||||
| 特征频率fT | 230MHz | - | ||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||||||||||||
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | - | 10k | ||||||||||||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 47K Ohms | ||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV | - | ||||||||||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 250mV @ 300µA,10mA | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 80 @ 5mA,10V | ||||||||||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | - | ||||||||||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||||||||||||
| VEBO | 10V | - | ||||||||||||||||
| 尺寸 | 2.9*1.3*1 | - | ||||||||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | - | ||||||||||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | - | ||||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | - | ||||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 78,090 | 30,123 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PDTC114ET,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN |
￥0.5753
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78,090 | 当前型号 | ||||||||||
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DTC114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN |
￥0.6078
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587,487 | 对比 | ||||||||||
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DTC114YKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 70mA 300mV 68 250MHz NPN |
￥0.7455
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111,135 | 对比 | ||||||||||
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DTC124EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 30mA 300mV 56 250MHz NPN |
￥0.0791
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39,000 | 对比 | ||||||||||
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MMUN2214LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 NPN 带阻/预偏置 |
￥0.5522
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30,123 | 对比 | ||||||||||
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DTC123EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 100mA 300mV 20 250MHz NPN |
暂无价格 | 17,890 | 对比 |
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