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NX7002BKR  与  BSS138NH6327XTSA2  区别

型号 NX7002BKR BSS138NH6327XTSA2
唯样编号 A36-NX7002BKR A36-BSS138NH6327XTSA2
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 0.31W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 41pF @ 25V
输出电容 4.6pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.27A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 26uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 10V
输入电容 23.6pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.8Ω@200mA,10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 58,308 24,730
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
250+ :  ¥0.2055
1,500+ :  ¥0.1278
3,000+ :  ¥0.0882
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NX7002BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX7002BK_SOT23

¥0.2055 

阶梯数 价格
250: ¥0.2055
1,500: ¥0.1278
3,000: ¥0.0882
58,308 当前型号
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 129,000 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥0.8646 

阶梯数 价格
60: ¥0.8646
200: ¥0.3406
1,500: ¥0.246
3,000: ¥0.1695
72,923 对比
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5874 

阶梯数 价格
90: ¥0.5874
200: ¥0.2685
1,500: ¥0.1665
3,000: ¥0.1152
43,414 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 39,600 对比
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
24,730 对比

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