NVR5198NLT1G 与 SI2308BDS-T1-E3 区别
| 型号 | NVR5198NLT1G | SI2308BDS-T1-E3 | ||||
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| 唯样编号 | A36-NVR5198NLT1G | A3t-SI2308BDS-T1-E3 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 1.7A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） | MOSFET | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 156mΩ | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.09W(Ta),1.66W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 1.9A | ||||
| 系列 | - | SI | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 190pF @ 30V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.8nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 218 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NVR5198NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.9383
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218 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3422 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 55V ±12V 2.1A 1.25W 160mΩ@2.1A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.7381
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23,162 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN6A07FQTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 1.4A 250mΩ 20V 806mW -55°C~150°C 车规 |
￥1.43
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4,316 | 对比 | ||||||||||||
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AO3422 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 55V ±12V 2.1A 1.25W 160mΩ@2.1A,4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN6A07FQTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 1.4A 250mΩ 20V 806mW -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI2308BDS-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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