NVMFS5C682NLAFT1G 与 RS6L120BGTB1 区别
| 型号 | NVMFS5C682NLAFT1G | RS6L120BGTB1 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NVMFS5C682NLAFT1G | A33-RS6L120BGTB1 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | HSOP8 (Single) | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 120A | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.7mΩ@90A,10V | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 104W | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,501 | 801 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
￥3.036
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1,501 | 当前型号 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLT3G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLWFAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥15.5714
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801 | 对比 | ||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥10.6269
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284 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
