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NVD5C688NLT4G  与  IRFR4105ZTRPBF  区别

型号 NVD5C688NLT4G IRFR4105ZTRPBF
唯样编号 A36-NVD5C688NLT4G A-IRFR4105ZTRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 17A(Tc) 18W(Tc) DPAK Single N-Channel 55 V 68 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 24.5mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 48W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 30A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
库存与单价
库存 1,465 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥7.04
100+ :  ¥5.863
1,250+ :  ¥5.335
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVD5C688NLT4G ON Semiconductor  数据手册 未分类

¥7.04 

阶梯数 价格
8: ¥7.04
100: ¥5.863
1,250: ¥5.335
1,465 当前型号
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IRFR4105ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 24.5mΩ@18A,10V N-Channel 55V 30A D-Pak

暂无价格 0 对比

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