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NVD5C684NLT4G  与  DMNH6021SK3Q-13  区别

型号 NVD5C684NLT4G DMNH6021SK3Q-13
唯样编号 A36-NVD5C684NLT4G A36-DMNH6021SK3Q-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 38A(Tc) 27W(Tc) DPAK MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds - 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 2.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 23mΩ@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1143 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 20.1 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
工作温度 - -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 50A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
库存与单价
库存 894 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.08
100+ :  ¥2.376
暂无价格
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NVD5C684NLT4G ON Semiconductor  数据手册 未分类

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