NTZD3155CT2G 与 PMDT290UCE,115 区别
| 型号 | NTZD3155CT2G | PMDT290UCE,115 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NTZD3155CT2G | A36-PMDT290UCE,115 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT666 | ||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.8A | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||
| 输入电容 | - | 55pF | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 0.33W | ||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 380mΩ@4.5V,620mΩ@2.5V | ||||||||||
| 输出电容 | - | 15pF | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 0.75V,8V | ||||||||||
| FET类型 | - | N+P-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,974 | 939 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-563 |
￥0.7876
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3,974 | 当前型号 | ||||||||||
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DMC2004VK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
550mΩ@540mA,4.5V 450mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 N+P-Channel 20V 0.67A,0.53A |
￥0.9999
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5,455 | 对比 | ||||||||||
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PMDT290UCE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 N+P-Channel 0.33W 150°C 0.75V,8V 20V 0.8A |
￥1.375
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939 | 对比 | ||||||||||
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PMDT290UCE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 N+P-Channel 0.33W 150°C 0.75V,8V 20V 0.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||||||
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SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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