NTZD3155CT2G 与 DMC2004VK-7 区别
| 型号 | NTZD3155CT2G | DMC2004VK-7 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTZD3155CT2G | A36-DMC2004VK-7 | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | DMC2 Series Dual N & P Ch 20 V 550mOhm Enhancement Mode Field Effect Transistor | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-563 | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.67A,0.53A | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 550mΩ@540mA,4.5V | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 150pF @ 16V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 450mW | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N+P-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,974 | 5,455 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-563 |
￥0.7876
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3,974 | 当前型号 | ||||||||||
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DMC2004VK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
550mΩ@540mA,4.5V 450mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 N+P-Channel 20V 0.67A,0.53A |
￥0.9999
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5,455 | 对比 | ||||||||||
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PMDT290UCE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 N+P-Channel 0.33W 150°C 0.75V,8V 20V 0.8A |
￥1.375
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939 | 对比 | ||||||||||
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PMDT290UCE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 N+P-Channel 0.33W 150°C 0.75V,8V 20V 0.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||||||
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SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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