NTTFS5116PLTAG 与 RQ3L070ATTB 区别
| 型号 | NTTFS5116PLTAG | RQ3L070ATTB | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTTFS5116PLTAG | A33-RQ3L070ATTB-0 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 功率 | 3.2W(Ta),40W(Tc) | - | ||||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 2W(Ta) | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 52 毫欧 @ 6A,10V | - | ||||||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2850 pF @ 30 V | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | WDFN | 8-PowerVDFN | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.7A | - | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 48 nC @ 10 V | ||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1258pF @ 30V | - | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 28 毫欧 @ 7A,10V | ||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 25A(Tc) | ||||||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60 V | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,517 | 3,000 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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NTTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
P-Channel 5.7A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 6A,10V -55°C~175°C(TJ) WDFN 60V 5.7A |
￥2.035
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1,517 | 当前型号 | |||||||||||||||
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FDMC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.7A(Ta),13.5A(Tc) ±20V 2.1W(Ta),42W(Tc) 100mΩ@5.7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 60V 5.7A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 21,660 | 对比 | ||||||||||||||
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FDMC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.7A(Ta),13.5A(Tc) ±20V 2.1W(Ta),42W(Tc) 100mΩ@5.7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 60V 5.7A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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FDMC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.7A(Ta),13.5A(Tc) ±20V 2.1W(Ta),42W(Tc) 100mΩ@5.7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 60V 5.7A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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NTTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3L070ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥7.4264
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3,000 | 对比 |
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