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NTR4502PT1G  与  IRLML5103TRPBF  区别

型号 NTR4502PT1G IRLML5103TRPBF
唯样编号 A36-NTR4502PT1G A-IRLML5103TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@-1.95A,-10V 600mΩ@600mA,10V
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 400mW(Tj) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -1.13A 0.76A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
库存与单价
库存 12,414 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
90+ :  ¥0.594
200+ :  ¥0.4849
1,500+ :  ¥0.4407
3,000+ :  ¥0.4108
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 400mW(Tj) 200mΩ@-1.95A,-10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel -30V -1.13A

¥0.594 

阶梯数 价格
90: ¥0.594
200: ¥0.4849
1,500: ¥0.4407
3,000: ¥0.4108
12,414 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

¥0.468 

阶梯数 价格
110: ¥0.468
200: ¥0.3029
1,500: ¥0.2626
4,845 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
BSH203,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH203_SOT23 P-Channel 0.417W -55°C~150°C ±8V -30V -0.47A

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
333 对比
BSH203,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH203_SOT23 P-Channel 0.417W -55°C~150°C ±8V -30V -0.47A

¥1.0355 

阶梯数 价格
560: ¥1.0355
1,000: ¥0.809
1,500: ¥0.6631
3,000: ¥0.5766
0 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 对比

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