NTR4171PT1G 与 SI3401A-TP 区别
| 型号 | NTR4171PT1G | SI3401A-TP | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTR4171PT1G | A36-SI3401A-TP | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | MCC | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 宽度 | 1.3 mm | - | ||||||||||
| 正向跨导-最小值 | 7 S | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 75mΩ@2.2A,10V | - | ||||||||||
| 上升时间 | 16 ns | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.2A(Ta) | - | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| 长度 | 2.9 mm | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | - | ||||||||||
| 下降时间 | 22 ns | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 720pF @ 15V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA | - | ||||||||||
| 高度 | 0.94 mm | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 480mW(Ta) | - | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||
| 系列 | NTR4171P | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1 Channel | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 720pF @ 15V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.6nC @ 10V | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.6nC @ 10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 435 | 20,028 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
￥0.7843
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435 | 当前型号 | ||||||||||
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SI3401A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.216
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20,028 | 对比 | ||||||||||
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AO3421E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V |
￥0.6292
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13,014 | 对比 | ||||||||||
|
FDN352AP | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A |
￥0.9383
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7,367 | 对比 | ||||||||||
|
ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 625mW(Ta) 600mΩ@610mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 0.9A |
￥1.0604
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3,760 | 对比 | ||||||||||
|
DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A |
￥0.5356
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3,154 | 对比 |
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