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NTR4171PT1G  与  IRLML6402TRPBF  区别

型号 NTR4171PT1G IRLML6402TRPBF
唯样编号 A36-NTR4171PT1G A32-IRLML6402TRPBF-3
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm -
正向跨导-最小值 7 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.2A,10V 65mΩ@3.7A,4.5V
上升时间 16 ns -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 3.7A
配置 Single -
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 2.5V,4.5V
下降时间 22 ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
高度 0.94 mm -
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 480mW(Ta) 1.3W
典型关闭延迟时间 32 ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 NTR4171P HEXFET®
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V 633pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V 12nC @ 5V
典型接通延迟时间 9 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,902 90,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
30+ :  ¥1.76
100+ :  ¥1.353
750+ :  ¥1.133
1,500+ :  ¥1.0296
3,000+ :  ¥0.5459
6,000+ :  ¥0.5323
12,000+ :  ¥0.5189
24,000+ :  ¥0.506
48,000+ :  ¥0.4934
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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2.9mm SOT-23

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30: ¥1.76
100: ¥1.353
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¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
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SOT-23

¥0.5459 

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3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
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70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
31,555 对比

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