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NTR4171PT1G  与  DMP3098L-7  区别

型号 NTR4171PT1G DMP3098L-7
唯样编号 A36-NTR4171PT1G A3-DMP3098L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3098L Series 30 V 70 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm 1.3mm
正向跨导-最小值 7 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.2A,10V 70mΩ@3.8A,10V
上升时间 16 ns 5ns
Qg-栅极电荷 - 7.8nC
栅极电压Vgs ±12V ±20V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 3.8A
配置 Single Single
长度 2.9 mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 22 ns 9.5ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
高度 0.94 mm 1mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 480mW(Ta) 1.08W
典型关闭延迟时间 32 ns 17.6ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 NTR4171P DMP3098
通道数量 1 Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V 336pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V -
典型接通延迟时间 9 ns 6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,902 85,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.232
200+ :  ¥0.946
1,500+ :  ¥0.8228
3,000+ :  ¥0.285
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
200: ¥0.946
1,500: ¥0.8228
1,902 当前型号
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
48,000: ¥0.4934
90,000 对比
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.285 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.285
85,000 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

暂无价格 45,200 对比
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
200: ¥0.2613
3,000: ¥0.2325
40,202 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
36,000 对比

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