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NTR4170NT1G  与  ZXM61N02FTA  区别

型号 NTR4170NT1G ZXM61N02FTA
唯样编号 A36-NTR4170NT1G A36-ZXM61N02FTA
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 2.4A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236) ZXM61N02F 20 V 0.18 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180mΩ@930mA,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 625mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1.7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 160pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.4nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
库存与单价
库存 11,965 26,052
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.8316
200+ :  ¥0.5731
40+ :  ¥1.375
100+ :  ¥1.0637
750+ :  ¥0.8877
1,500+ :  ¥0.8063
3,000+ :  ¥0.748
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4170NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

¥0.8316 

阶梯数 价格
70: ¥0.8316
200: ¥0.5731
11,965 当前型号
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.8448 

阶梯数 价格
60: ¥0.8448
200: ¥0.583
110,235 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
33,122 对比
ZXM61N02FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 625mW(Ta) 180mΩ@930mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 1.7A

¥1.375 

阶梯数 价格
40: ¥1.375
100: ¥1.0637
750: ¥0.8877
1,500: ¥0.8063
3,000: ¥0.748
26,052 对比
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
21,939 对比
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

¥0.6523 

阶梯数 价格
80: ¥0.6523
200: ¥0.5317
1,500: ¥0.4836
3,000: ¥0.4511
14,353 对比

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