NTR4170NT1G 与 DMG3418L-7 区别
| 型号 | NTR4170NT1G | DMG3418L-7 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTR4170NT1G | A36-DMG3418L-7 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 2.4A（Ta） 480mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@4A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W(Ta) | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 464.3pF @ 15V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.5nC @ 4.5V | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 3,889 | 5,560 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTR4170NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.7766
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3,889 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6149
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95,319 | 对比 | ||||||||||
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AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
￥0.7876
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15,000 | 对比 | ||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5395
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5,560 | 对比 | ||||||||||
|
AO3418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.7876
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4,277 | 对比 | ||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.935
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4,103 | 对比 |
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