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NTR4101PT1G  与  DMG2301U-7  区别

型号 NTR4101PT1G DMG2301U-7
唯样编号 A36-NTR4101PT1G A36-DMG2301U-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23 P-Channel 20 V 80 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 85m Ohms@1.6A,4.5V 130mΩ@2.8A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 420mW(Ta) 800mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A 2.7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 675pF @ 10V 608pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V 6.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,4.5V
库存与单价
库存 20,271 88,922
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6314
200+ :  ¥0.481
1,500+ :  ¥0.4186
3,000+ :  ¥0.3705
90+ :  ¥0.5871
200+ :  ¥0.2673
1,500+ :  ¥0.1661
3,000+ :  ¥0.1323
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4101PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A

¥0.6314 

阶梯数 价格
80: ¥0.6314
200: ¥0.481
1,500: ¥0.4186
3,000: ¥0.3705
20,271 当前型号
DMG2301U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 130mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.7A

¥0.5871 

阶梯数 价格
90: ¥0.5871
200: ¥0.2673
1,500: ¥0.1661
3,000: ¥0.1323
88,922 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XP_SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

¥0.4186 

阶梯数 价格
120: ¥0.4186
200: ¥0.2704
3,000: ¥0.24
48,603 对比
NTR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 27,000 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XP_SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

¥0.645 

阶梯数 价格
1: ¥0.645
100: ¥0.4886
1,000: ¥0.3817
1,500: ¥0.3129
3,000: ¥0.2721
15,378 对比
SI2301-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.231 

阶梯数 价格
220: ¥0.231
1,500: ¥0.1995
3,000: ¥0.1785
13,876 对比

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