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NTR4101PT1G  与  DMG2301U-7  区别

型号 NTR4101PT1G DMG2301U-7
唯样编号 A36-NTR4101PT1G A3-DMG2301U-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23 P-Channel 20 V 80 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 85m Ohms@1.6A,4.5V 130mΩ@2.8A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 420mW(Ta) 800mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A 2.7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 675pF @ 10V 608pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V 6.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,4.5V
库存与单价
库存 1,024 42,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.5733
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4101PT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

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